O SunSILICON™ P da Sun Nuclear é um detector de díodo de silício tipo-p blindado, concebido para dosimetria relativa de precisão em fantomas de água cilíndricos. Representa a nova geração de detectores blindados da Sun Nuclear, substituindo o EDGE Detector com melhorias significativas em equivalência de água, dureza radiológica e gama de campos. O “P” indica a blindagem (shielded), com um símbolo de escudo gravado no housing para fácil identificação.
Características Principais
- Díodo de silício tipo-p personalizado blindado, totalmente guardado
- Volume activo de 0,053 mm³ para resolução espacial elevada
- Sensibilidade de 38 nC/Gy para velocidades de varrimento rápidas
- Housing em HE Solid Water® — equivalente a água para perturbação mínima
- Blindagem integrada para resposta energética plana em fotões
- Dureza radiológica e características de fuga superiores ao EDGE Detector
- Baixa dependência de dose por pulso
- Tolerâncias mecânicas apertadas para consistência entre detectores
- Marcas de alinhamento e símbolo de escudo gravados no housing
- À prova de água
- Compatível com técnicas IMRT, SRT e IGRT
Aplicações
- Dosimetria de fotões de campos pequenos a grandes (2×2 a 40×40 cm²)
- Comissionamento de aceleradores lineares
- Medição de factores de output em campos pequenos (conforme IAEA TRS-483 / AAPM TG-155)
- Perfis laterais de feixe e PDDs
- Ideal para aplicações onde a resposta energética plana em fotões é crítica
Compatibilidade
Compatível com os sistemas de varrimento em água SunSCAN™ 3D e 3D SCANNER™ da Sun Nuclear. Conector BNC ou TNC disponível.
SunSILICON vs SunSILICON P
O SunSILICON P (blindado) é optimizado para fotões com resposta energética plana, cobrindo campos de 2×2 a 40×40 cm². Para dosimetria de campos muito pequenos (até 0,4×0,4 cm²) ou dosimetria de electrões, consulte o SunSILICON™ (não blindado).
Evolução do EDGE Detector
O SunSILICON P substitui o EDGE Detector (modelo 1118, em fim de vida) na gama de campos médios a grandes, com melhorias substanciais: housing em Solid Water (era brass), factores de correcção dentro de ±2% para quase toda a gama de utilização, e dureza radiológica superior.
Especificações Técnicas
| Modelo | 1049 |
| Tipo de detector | Díodo de silício tipo-p blindado |
| Volume activo | 0,053 mm³ |
| Sensibilidade | 38 nC/Gy |
| Gama de campos (fotões) | 2×2 a 40×40 cm² |
| Campo mínimo | 1,2×1,2 cm² |
| Build-up equivalente água | 1,25 mm |
| Ponto de referência | 1 mm da superfície superior |
| Dimensões externas | 8,22 mm × 59 mm (diâmetro × comprimento) |
| Comprimento do cabo | 1,5 m |
| Conector | BNC ou TNC |
| Impedância | > 1000 MΩ |
| Polaridade de saída | Negativa |
| Housing | HE Solid Water® (equivalente a água) |
Evidência científica
O desempenho dosimétrico do SunSILICON e do SunSILICON P está documentado em literatura peer-reviewed. O estudo de Schönfeld et al. (Journal of Applied Clinical Medical Physics, 2026) caracteriza os fatores de correção de output em campos pequenos (field output correction factors) e decompõe a sua origem através de análise de fatores de perturbação — volume, densidade e meio — combinando medições experimentais e simulação Monte Carlo.
Os resultados confirmam que ambos os detetores cumprem as recomendações dos protocolos IAEA TRS-483 e AAPM TG-155 para dosimetria de campos pequenos, com fatores de correção dentro do limite de 5% exigido para a medição rigorosa de output factors. O SunSILICON (não blindado) cobre campos de (1×1) a (10×10) cm² em fotões; o SunSILICON P (blindado) estende o alcance até (40×40) cm², mantendo correções reduzidas em todo o intervalo.
Esta base científica torna o SunSILICON uma escolha validada para comissionamento e QA de feixes de fotões e eletrões em radioterapia, incluindo técnicas estereotáxicas de campo muito pequeno.
Referências: Schönfeld A. A. et al., «Field output correction factors and perturbation factor analysis for the novel SunSILICON and SunSILICON P silicon diode detectors», Journal of Applied Clinical Medical Physics, 2026. Ver também o poster AAPM Field Output Correction Factors of Novel Unshielded and Shielded Silicon Diode Detectors.
