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    SunSILICON™ P Detector de Díodo de Silício Blindado

    REF: SunSILICON-P-1049 Categorias: ,
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    O SunSILICON™ P da Sun Nuclear é um detector de díodo de silício tipo-p blindado, concebido para dosimetria relativa de precisão em fantomas de água cilíndricos. Representa a nova geração de detectores blindados da Sun Nuclear, substituindo o EDGE Detector com melhorias significativas em equivalência de água, dureza radiológica e gama de campos. O “P” indica a blindagem (shielded), com um símbolo de escudo gravado no housing para fácil identificação.

    Características Principais

    • Díodo de silício tipo-p personalizado blindado, totalmente guardado
    • Volume activo de 0,053 mm³ para resolução espacial elevada
    • Sensibilidade de 38 nC/Gy para velocidades de varrimento rápidas
    • Housing em HE Solid Water® — equivalente a água para perturbação mínima
    • Blindagem integrada para resposta energética plana em fotões
    • Dureza radiológica e características de fuga superiores ao EDGE Detector
    • Baixa dependência de dose por pulso
    • Tolerâncias mecânicas apertadas para consistência entre detectores
    • Marcas de alinhamento e símbolo de escudo gravados no housing
    • À prova de água
    • Compatível com técnicas IMRT, SRT e IGRT

    Aplicações

    • Dosimetria de fotões de campos pequenos a grandes (2×2 a 40×40 cm²)
    • Comissionamento de aceleradores lineares
    • Medição de factores de output em campos pequenos (conforme IAEA TRS-483 / AAPM TG-155)
    • Perfis laterais de feixe e PDDs
    • Ideal para aplicações onde a resposta energética plana em fotões é crítica

    Compatibilidade

    Compatível com os sistemas de varrimento em água SunSCAN™ 3D e 3D SCANNER™ da Sun Nuclear. Conector BNC ou TNC disponível.

    SunSILICON vs SunSILICON P

    O SunSILICON P (blindado) é optimizado para fotões com resposta energética plana, cobrindo campos de 2×2 a 40×40 cm². Para dosimetria de campos muito pequenos (até 0,4×0,4 cm²) ou dosimetria de electrões, consulte o SunSILICON™ (não blindado).

    Evolução do EDGE Detector

    O SunSILICON P substitui o EDGE Detector (modelo 1118, em fim de vida) na gama de campos médios a grandes, com melhorias substanciais: housing em Solid Water (era brass), factores de correcção dentro de ±2% para quase toda a gama de utilização, e dureza radiológica superior.

    Especificações Técnicas

    Modelo 1049
    Tipo de detector Díodo de silício tipo-p blindado
    Volume activo 0,053 mm³
    Sensibilidade 38 nC/Gy
    Gama de campos (fotões) 2×2 a 40×40 cm²
    Campo mínimo 1,2×1,2 cm²
    Build-up equivalente água 1,25 mm
    Ponto de referência 1 mm da superfície superior
    Dimensões externas 8,22 mm × 59 mm (diâmetro × comprimento)
    Comprimento do cabo 1,5 m
    Conector BNC ou TNC
    Impedância > 1000 MΩ
    Polaridade de saída Negativa
    Housing HE Solid Water® (equivalente a água)

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