El SunSILICON™ P de Sun Nuclear es un detector de diodo de silicio tipo-p blindado, diseñado para dosimetría relativa de precisión en fantomas de agua cilíndricos. Representa la nueva generación de detectores blindados de Sun Nuclear, sustituyendo al EDGE Detector con mejoras significativas en equivalencia al agua, dureza a la radiación y rango de tamaños de campo. La «P» indica el blindaje (shielded), con un símbolo de escudo grabado en la carcasa para una fácil identificación.
Características principales
- Diodo de silicio tipo-p personalizado blindado, totalmente guardado
- Volumen activo de 0,053 mm³ para alta resolución espacial
- Sensibilidad de 38 nC/Gy para velocidades de escaneo rápidas
- Carcasa de HE Solid Water® — equivalente al agua para una perturbación mínima
- Blindaje integrado para una respuesta energética plana en fotones
- Dureza a la radiación y características de fuga superiores al EDGE Detector
- Baja dependencia de la dosis por pulso
- Tolerancias mecánicas estrictas para la consistencia entre detectores
- Marcas de alineación y símbolo de escudo grabados en la carcasa
- Impermeable
- Compatible con técnicas IMRT, SRT e IGRT
Aplicaciones
- Dosimetría de fotones de campos pequeños a grandes (2×2 a 40×40 cm²)
- Puesta en servicio de aceleradores lineales
- Medición de factores de output en campos pequeños (según IAEA TRS-483 / AAPM TG-155)
- Perfiles laterales de haz y PDDs
- Ideal para aplicaciones donde la respuesta energética plana en fotones es crítica
Compatibilidad
Compatible con los sistemas de escaneo en agua SunSCAN™ 3D y 3D SCANNER™ de Sun Nuclear. Conector BNC o TNC disponible.
SunSILICON vs SunSILICON P
El SunSILICON P (blindado) está optimizado para fotones con respuesta energética plana, cubriendo campos de 2×2 a 40×40 cm². Para dosimetría de campos muy pequeños (hasta 0,4×0,4 cm²) o dosimetría de electrones, consulte el SunSILICON™ (sin blindaje).
Evolución del EDGE Detector
El SunSILICON P sustituye al EDGE Detector (modelo 1118, fin de vida) en el rango de campos medios a grandes, con mejoras sustanciales: carcasa de Solid Water (antes latón), factores de corrección dentro de ±2% en casi todo el rango de uso, y dureza a la radiación superior.
Especificaciones técnicas
| Modelo | 1049 |
| Tipo de detector | Diodo de silicio tipo-p blindado |
| Volumen activo | 0,053 mm³ |
| Sensibilidad | 38 nC/Gy |
| Rango de campos (fotones) | 2×2 a 40×40 cm² |
| Campo mínimo | 1,2×1,2 cm² |
| Build-up equivalente al agua | 1,25 mm |
| Punto de referencia | 1 mm desde la superficie superior |
| Dimensiones externas | 8,22 mm × 59 mm (diámetro × longitud) |
| Longitud del cable | 1,5 m |
| Conector | BNC o TNC |
| Impedancia | > 1000 MΩ |
| Polaridad de salida | Negativa |
| Carcasa | HE Solid Water® (equivalente al agua) |
Evidencia científica
El rendimiento dosimétrico del SunSILICON y del SunSILICON P está documentado en literatura peer-reviewed. El estudio de Schönfeld et al. (Journal of Applied Clinical Medical Physics, 2026) caracteriza los factores de corrección de output en campos pequeños (field output correction factors) y descompone su origen mediante análisis de factores de perturbación — volumen, densidad y medio — combinando mediciones experimentales y simulación Monte Carlo.
Los resultados confirman que ambos detectores cumplen las recomendaciones de los protocolos IAEA TRS-483 y AAPM TG-155 para dosimetría de campos pequeños, con factores de corrección dentro del límite del 5% exigido para la medición rigurosa de output factors. El SunSILICON (no blindado) cubre campos de (1×1) a (10×10) cm² en fotones; el SunSILICON P (blindado) extiende el alcance hasta (40×40) cm², manteniendo correcciones reducidas en todo el intervalo.
Esta base científica convierte al SunSILICON en una opción validada para el comisionado y QA de haces de fotones y electrones en radioterapia, incluyendo técnicas estereotácticas de campo muy pequeño.
Referencias: Schönfeld A. A. et al., «Field output correction factors and perturbation factor analysis for the novel SunSILICON and SunSILICON P silicon diode detectors», Journal of Applied Clinical Medical Physics, 2026. Véase también el póster AAPM Field Output Correction Factors of Novel Unshielded and Shielded Silicon Diode Detectors.
